掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响
Effects of Y2O3 and MgO doping on the microstructures and dielectric properties of Al2O3 ceramics
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摘要: 利用放电等离子烧结技术制备了不同质量分数Y2O3单独掺杂及不同质量分数Y2O3、MgO共同掺杂的Al2O3陶瓷,研究了烧结助剂掺杂质量分数对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响.结果表明,孔隙率是影响Al2O3陶瓷介电性能的主要因素;单独掺杂质量分数为0.25%Y2O3时,Al2O3陶瓷得到最优的介电性能,介电常数(εr)为9.5±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在10-3数量级以内;同时掺杂Y2O3和MgO能进一步改善其介电性能,当两者质量分数均为0.25%时,得到最优值,介电常数(εr)为10.3±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在8×10-4以下.
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