AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究

Research on hollow cathode discharge plasma sintering techniques of aluminium nitride

摘要: 将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响.结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷.添加质量分数为5.5%的YLC烧结助剂,在1 700 ℃、保温3h的烧结条件下,获得相对密度为98.9%、热导率为93.8W/(m·K)的AIN烧结体.烧结体断口的SEM照片显示,烧结试样的晶粒生长发育完善,晶粒轮廓清晰,呈尖锐的多面体形状,晶粒大小均匀,孔隙和晶界相少,断裂模式主要为穿晶解理断裂.TEM观测表明,晶界相少,且大部分都缩至三角晶界,AIN晶粒与晶粒接触紧密.