摘要: 将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃,850℃,950℃,1050℃,1150℃温度下进行无压烧结.采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd2SnO4靶材结构演化和电阻率的影响.结果表明:750 ～ 850℃低温无压烧结时,扩散反应发生缓慢,只有少量的Cd2SnO4生成,大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在.950～ 1050℃无压烧结,随着温度升高,扩散反应速率较快,发生大量合成反应生成Cd2SnO4,当SnO2过量时,CdO完全参加反应.当温度上升至1150℃时,Cd2SnO4含量大幅度增加,伴随出现第二相CdSnO3.四探针测试结果显示:随着温度的升高,Cd2SnO4主相含量增加,靶材电阻率逐渐降低至19.9×10-3Ω·cm.根据无压烧结实验的固相演化规律,采用2∶1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料,充分混合后在1000℃下煅烧2～3小时,可得到均匀单相亮黄色Cd2SnO4原料粉体.