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电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉

黄荣芳, 林成福

黄荣芳, 林成福. 电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉[J]. 粉末冶金技术, 1992, 10(3): 178-181.
引用本文: 黄荣芳, 林成福. 电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉[J]. 粉末冶金技术, 1992, 10(3): 178-181.
shu
Huang Rongfang, Lin Chengfu. SILICON CARBIDE BASED SUPERFINE POWDER PREPARED BY ARC PLASMA JET VAPOUR-REACTION PROCESS[J]. Powder Metallurgy Technology, 1992, 10(3): 178-181.
Citation: Huang Rongfang, Lin Chengfu. SILICON CARBIDE BASED SUPERFINE POWDER PREPARED BY ARC PLASMA JET VAPOUR-REACTION PROCESS[J]. Powder Metallurgy Technology, 1992, 10(3): 178-181.
shu

电弧等离子射流蒸发反应法制备碳化硅基超微粉

  • 中国科学院金属研究所, 沈阳 110015

SILICON CARBIDE BASED SUPERFINE POWDER PREPARED BY ARC PLASMA JET VAPOUR-REACTION PROCESS

  • Institute of Metal Research, Academia Sinica, Shengyang, 110015

摘要

    摘要
  • 摘要: 分析了SiC+C、SiC+Si等超微颗粒的形貌、粒度大小及分布和晶体结构。讨论了等离子弧电流IT和IJ对超微粉粒度的影响。
    Abstract: The morphology, particle size and distribution and grain structure of SiC+C, SiC+Si and other superfine particles have been analysized. Influences of plasma transfer IT and IJ on particle sizes of superfine powder were discussed.
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  • 网络出版日期:  2021-08-22

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