摘要: 采用热等静压的工艺合成了掺杂GaP量为≤2.0%(摩尔分数)的N型Si95Ge5固溶体合金,对合成后的样品进行了物相结构分析及对微观形貌进行了表征,并研究了在室温下GaP掺杂量对载流子浓度、电导率、Seebeck系数及功率因子的影响.对于复合掺杂(P+GaP)的N型Si95Ge5合金,试验结果表明:Seebeck系数在GaP掺杂量为0.5%(摩尔分数)时最小,之后随着GaP掺杂量在0.5%～1.5%范围内的增加而增加;电导率在GaP掺杂量小于1.5%范围内随GaP掺杂量的增加而单调增加;GaP的掺杂量在0.5%～1.5%范围内时,其功率因子在303K时达到最大值.