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溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末

陈宏, 穆柏春, 赵连俊

陈宏, 穆柏春, 赵连俊. 溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末[J]. 粉末冶金技术, 2009, 27(2): 114-118.
引用本文: 陈宏, 穆柏春, 赵连俊. 溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末[J]. 粉末冶金技术, 2009, 27(2): 114-118.
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Chen Hong, Mu Baichun, Zhao Lianjun. Preparation of Si3N4 nanometer powders by sol-gel method and carbothermal reduction method[J]. Powder Metallurgy Technology, 2009, 27(2): 114-118.
Citation: Chen Hong, Mu Baichun, Zhao Lianjun. Preparation of Si3N4 nanometer powders by sol-gel method and carbothermal reduction method[J]. Powder Metallurgy Technology, 2009, 27(2): 114-118.
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溶胶凝胶-碳热还原法制备Si3N4纳米粉末

  • 辽宁工业大学材料与化学工程学院,辽宁锦州,121001;辽宁石化职业技术学院应用化学系,辽宁锦州,121001

  • 辽宁工业大学材料与化学工程学院,辽宁锦州,121001

  • 辽宁石化职业技术学院应用化学系,辽宁锦州,121001

  • 辽宁工业大学

  • 辽宁石化职业技术学院

基金项目: 辽宁省自然科学基金(20062193;9910300401)%辽宁省教育厅科研基金(20031008)%辽宁省专利局资助项目
详细信息

  • 中图分类号: TF1

Preparation of Si3N4 nanometer powders by sol-gel method and carbothermal reduction method

摘要

    摘要
  • 摘要: 以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体.主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响.碳热还原制备Si3N4纳米粉体的最佳工艺条件为:碳硅比(摩尔比)为3.5: 1,氮气流量为3L/min,煅烧温度为1 500℃,保温时间2h.在以上最佳工艺条件下,可制备出纯的Si3N4纳米粉体,其中α-氮化硅为90.8%,β-氮化硅为9.2%,平均粒径为43.82nm.
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