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PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究

魏伟, 姚萍屏, 罗丰华

魏伟, 姚萍屏, 罗丰华. PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究[J]. 粉末冶金技术, 2010, 28(3): 163-166,171.
引用本文: 魏伟, 姚萍屏, 罗丰华. PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究[J]. 粉末冶金技术, 2010, 28(3): 163-166,171.
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Wei Wei, Yao Pingping, Luo Fenghua. Study on microstructures and properties of PLZT piezoelectric ceramics at MPB[J]. Powder Metallurgy Technology, 2010, 28(3): 163-166,171.
Citation: Wei Wei, Yao Pingping, Luo Fenghua. Study on microstructures and properties of PLZT piezoelectric ceramics at MPB[J]. Powder Metallurgy Technology, 2010, 28(3): 163-166,171.
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PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究

  • 中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083

  • 中南大学

基金项目: 国家攻关项目(JPPT-115-2-714)
详细信息

  • 中图分类号: TF12

Study on microstructures and properties of PLZT piezoelectric ceramics at MPB

摘要

    摘要
  • 摘要: 采用粉末冶金法制备了压电陶瓷材料Pb0 92La0.08(ZrxTi1-x)O3(简称PLZT),研究了Zr与Ti的原子比对材料物相组成、显微结构以及介电、压电性能的影响.XRD和SEM分析结果表明,当0.64≤x≤0.66时,材料近于准同晶相界;x=0.65时,所得密度最高,达到7.62g/cm3,相对密度为96.33%,介电、压电常数和机电耦合系数最大,分别为εr=1182,d33=136.8pc/N,Kp=0.284,具有优良的综合电学性能.其原因主要是该陶瓷在电场作用下易发生准同晶相变.
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