高级检索

金属有机化学气相沉积W薄膜

李一, 李金普, 贾成厂, 柳学全, 李发长, 李楠

李一, 李金普, 贾成厂, 柳学全, 李发长, 李楠. 金属有机化学气相沉积W薄膜[J]. 粉末冶金技术, 2011, 29(5): 334-338.
引用本文: 李一, 李金普, 贾成厂, 柳学全, 李发长, 李楠. 金属有机化学气相沉积W薄膜[J]. 粉末冶金技术, 2011, 29(5): 334-338.
shu
Li Yi, Li Jinpu, Jia Chengchang, Liu Xuequan, Li Fachang, Li Nan. A research on the technique for tungsten films by metal-organic chemical vapor deposition[J]. Powder Metallurgy Technology, 2011, 29(5): 334-338.
Citation: Li Yi, Li Jinpu, Jia Chengchang, Liu Xuequan, Li Fachang, Li Nan. A research on the technique for tungsten films by metal-organic chemical vapor deposition[J]. Powder Metallurgy Technology, 2011, 29(5): 334-338.
shu

金属有机化学气相沉积W薄膜

  • 北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;钢铁研究总院粉末冶金研究室,北京100081

  • 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

  • 钢铁研究总院粉末冶金研究室,北京,100081

  • 北京科技大学

  • 钢铁研究总院

基金项目: 国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA03Z116)
详细信息

  • 中图分类号: TB43

A research on the technique for tungsten films by metal-organic chemical vapor deposition

摘要

    摘要
  • 摘要: 以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究.通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜；研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320 ～ 380℃,载气流量为160～200ml/min.
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
    • 资源附件(0)
计量
  • 文章访问数: 
  • HTML全文浏览量: 
  • PDF下载量: 
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

摘要
HTML全文
    参考文献(0)
    相关文章
    施引文献
    资源附件(0)

    /

    返回文章
    返回

    网站版权 《粉末冶金技术》编辑部京ICP备13030111号

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发  百度统计