赵丽艳, 赵瑞红, 李昆杰. 直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体研究[J]. 粉末冶金技术.
引用本文: 赵丽艳, 赵瑞红, 李昆杰. 直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体研究[J]. 粉末冶金技术.
Research on the Preparation of High-Quality Silicon Nitride Ceramic Powder by Direct Nitriding Method[J]. Powder Metallurgy Technology.
Citation: Research on the Preparation of High-Quality Silicon Nitride Ceramic Powder by Direct Nitriding Method[J]. Powder Metallurgy Technology.

直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体研究

详细信息
  • 中图分类号: TB321

Research on the Preparation of High-Quality Silicon Nitride Ceramic Powder by Direct Nitriding Method

  • 摘要: 采用直接氮化法,以硅粉为原料制备高品质氮化硅陶瓷粉体,探究了氮化温度、升温速率、硅粉粒径及稀释剂用量对粉体的影响。原料硅粉D50为275.36 nm,不添加Si3N4稀释剂,反应温度为1400 ℃时,在1100~1400 ℃升温速率控制在5 ℃/min,硅粉完全氮化,制备了粒径均匀(粒径范围在396~458 nm)类球状氮化硅材料;材料分散性好,α相质量分数高达95.02%。研究表明升温速率为控制反应进程的关键因素,当升温速率过快或者过慢时,氮化硅α相到β相的转化程度超过内部反应程度,硅粉反应不完全;添加Si3N4稀释剂能够降低氮化温度。研究结果为氮化硅陶瓷粉体工业生产工艺优化提供了技术依据。
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