SiC掺杂量对Diamond/Cu复合材料导热性能的影响
Effect of SiC doping amount on the thermal conductivity of Diamond/Cu composites
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摘要: 采用超高压熔渗法制备了Diamond/SiC/Cu复合材料,通过研究不同SiC含量下样品的热导率变化规律及界面性能,提出孤立界面模型.主要阐释孤立界面模型的适用条件、主要内容及定量公式.通过孤立界面模型,说明低SiC掺杂量的必要性和Diamond骨架对于复合材料导热性能的重要性.结果表明,SiC最佳掺杂量为15％,此时复合材料的综合性能最优:热导率526.7 W·m-1·K-1,热膨胀系数2.4 ppm/K,密度3.74 g/cm3,节省原料成本近15％.
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关键词:
- Diamond/SiC/Cu复合材料 /
- 孤立界面模型 /
- SiC掺杂量 /
- 超高压熔渗
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