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SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究

高鹏,  贾成厂,  曹文斌,  崔照雯,  常宇宏,  刘建金,  王聪聪

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高鹏, 贾成厂, 曹文斌, 崔照雯, 常宇宏, 刘建金, 王聪聪. SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究[J]. 粉末冶金技术, 2014, 32(4): 248-253.
引用本文: 高鹏, 贾成厂, 曹文斌, 崔照雯, 常宇宏, 刘建金, 王聪聪. SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究[J]. 粉末冶金技术, 2014, 32(4): 248-253.
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Gao Peng, Jia Chengchang, Cao Wenbin, Cui Zhaowen, Chang Yuhong, Liu Jianjin, Wang Congcong. Effects of SiC content on the dielectric properties of AlN-SiC composite ceramics[J]. Powder Metallurgy Technology, 2014, 32(4): 248-253.
Citation: Gao Peng, Jia Chengchang, Cao Wenbin, Cui Zhaowen, Chang Yuhong, Liu Jianjin, Wang Congcong. Effects of SiC content on the dielectric properties of AlN-SiC composite ceramics[J]. Powder Metallurgy Technology, 2014, 32(4): 248-253.
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SiC含量对氮化铝基微波衰减复合陶瓷性能的影响研究

  • 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

  • 北京科技大学

基金项目: 中俄国际合作专项(2010DFRS0360)

Effects of SiC content on the dielectric properties of AlN-SiC composite ceramics

    摘要
  • 摘要: 以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30％～40％(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低.
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