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掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响

洪逍,  章林,  贾成厂,  秦恬

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洪逍, 章林, 贾成厂, 秦恬. 掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响[J]. 粉末冶金技术, 2017, 35(4): 255-262. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003
引用本文: 洪逍, 章林, 贾成厂, 秦恬. 掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响[J]. 粉末冶金技术, 2017, 35(4): 255-262. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003
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HONG Xiao, ZHANG Lin, JIA Cheng-chang, QIN Tian. Effects of Y2O3 and MgO doping on the microstructures and dielectric properties of Al2O3 ceramics[J]. Powder Metallurgy Technology, 2017, 35(4): 255-262. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003
Citation: HONG Xiao, ZHANG Lin, JIA Cheng-chang, QIN Tian. Effects of Y2O3 and MgO doping on the microstructures and dielectric properties of Al2O3 ceramics[J]. Powder Metallurgy Technology, 2017, 35(4): 255-262. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003
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掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响

doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003

  • 北京科技大学新材料技术研究院,北京,100083

  • 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

  • 北京科技大学

基金项目: 国家国际科技合作专项资助项目(2014DFR50570)
详细信息

  • 中图分类号: TQ174.75

Effects of Y2O3 and MgO doping on the microstructures and dielectric properties of Al2O3 ceramics

    摘要
  • 摘要: 利用放电等离子烧结技术制备了不同质量分数Y2O3单独掺杂及不同质量分数Y2O3、MgO共同掺杂的Al2O3陶瓷,研究了烧结助剂掺杂质量分数对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响.结果表明,孔隙率是影响Al2O3陶瓷介电性能的主要因素;单独掺杂质量分数为0.25%Y2O3时,Al2O3陶瓷得到最优的介电性能,介电常数(εr)为9.5±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在10-3数量级以内;同时掺杂Y2O3和MgO能进一步改善其介电性能,当两者质量分数均为0.25%时,得到最优值,介电常数(εr)为10.3±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在8×10-4以下.
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