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烧结温度对反应烧结碳化硅组织与性能的影响

巫红燕,  张国军,  王伟春

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文章导航 > 粉末冶金技术  > 2017 >  35(5): 342-346
巫红燕, 张国军, 王伟春. 烧结温度对反应烧结碳化硅组织与性能的影响[J]. 粉末冶金技术, 2017, 35(5): 342-346. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004
引用本文: 巫红燕, 张国军, 王伟春. 烧结温度对反应烧结碳化硅组织与性能的影响[J]. 粉末冶金技术, 2017, 35(5): 342-346. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004
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WU Hong-yan, ZHANG Guo-jun, WANG Wei-chun. Effects of sintering temperature on microstructure and properties of reaction bonded silicon carbide[J]. Powder Metallurgy Technology, 2017, 35(5): 342-346. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004
Citation: WU Hong-yan, ZHANG Guo-jun, WANG Wei-chun. Effects of sintering temperature on microstructure and properties of reaction bonded silicon carbide[J]. Powder Metallurgy Technology, 2017, 35(5): 342-346. doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004
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烧结温度对反应烧结碳化硅组织与性能的影响

doi: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.05.004

  • 浙江机电职业技术学院材料技术系,杭州,310053

  • 浙江立泰复合材料股份有限公司,湖州,313219

详细信息

  • 中图分类号: TB332

Effects of sintering temperature on microstructure and properties of reaction bonded silicon carbide

    摘要
  • 摘要: 本文研究了1450、1550、1650℃不同烧结温度制备的反应烧结SiC材料的密度、硬度、抗弯强度、显微组织、显微硬度及断裂行为.结果表明:烧结温度对材料密度影响较小.低温反应烧结的SiC晶粒的晶体结构不够完整,存在亚晶界等缺陷,晶粒强度较低,烧结材料的硬度和抗弯强度较低.高温反应烧结的SiC晶粒的晶体结构完整性增加,晶粒强度较高,烧结材料的硬度和抗弯强度较高.因此为了提高反应烧结碳化硅的力学性能,应该适当提高烧结温度或延长烧结时间.
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出版历程
  • 刊出日期:  2020-12-21

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