P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究

P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究

赵大庆, 姚为

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赵大庆, 姚为. P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

引用本文:

赵大庆, 姚为. P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

P-type CuAlO2 semiconductor ceramic material prepared by sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

Citation:

P-type CuAlO2 semiconductor ceramic material prepared by sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

赵大庆, 姚为. P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

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赵大庆, 姚为. P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

P-type CuAlO2 semiconductor ceramic material prepared by sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

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P-type CuAlO2 semiconductor ceramic material prepared by sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(6): 333-336. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究

doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.06.003

赵大庆,
姚为

清华大学机械工程系,北京,100084
清华大学

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出版历程

P-type CuAlO2 semiconductor ceramic material prepared by sintering

摘要: 性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件.本文以纳米级Al2O3粉体和微米级Cu2O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2.以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷,其迁移率达到27 cm2·V-1·s-1.以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为2.1 cm2·V-1·s-1的P型透明半导体薄膜.
- P型半导体 /
- 透明导电氧化物 /
- 烧结 /
- CuAlO2

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