AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究

王从曾 苏学宽 高帆 段成军 张连宝 马捷

王从曾, 苏学宽, 高帆, 段成军, 张连宝, 马捷. AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究[J]. 粉末冶金技术, 2005, 23(4): 279-283. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2005.04.008
引用本文: 王从曾, 苏学宽, 高帆, 段成军, 张连宝, 马捷. AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究[J]. 粉末冶金技术, 2005, 23(4): 279-283. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2005.04.008
Wang Congzeng, Su Xuekuan, Gao Fan, Duan Chengjun, Zhang Lianbao, Ma Jie. Research on hollow cathode discharge plasma sintering techniques of aluminium nitride[J]. Powder Metallurgy Technology, 2005, 23(4): 279-283. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2005.04.008
Citation: Wang Congzeng, Su Xuekuan, Gao Fan, Duan Chengjun, Zhang Lianbao, Ma Jie. Research on hollow cathode discharge plasma sintering techniques of aluminium nitride[J]. Powder Metallurgy Technology, 2005, 23(4): 279-283. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2005.04.008

AlN陶瓷的空心阴极等离子烧结工艺研究

doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2005.04.008
基金项目: 中国科学院资助项目(50374003)%北京市自然科学基金(2032003)
详细信息
  • 中图分类号: TF12

Research on hollow cathode discharge plasma sintering techniques of aluminium nitride

  • 摘要: 将空心阴极效应运用于AIN陶瓷的烧结,选用自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,用Y2O3-Li2O-CaO(YLC)作为烧结助剂,进行了烧结试验,并探讨了工艺参数的影响.结果表明,空心阴极烧结工艺可制备出致密度高,导热性能好的AIN陶瓷.添加质量分数为5.5%的YLC烧结助剂,在1 700 ℃、保温3h的烧结条件下,获得相对密度为98.9%、热导率为93.8W/(m·K)的AIN烧结体.烧结体断口的SEM照片显示,烧结试样的晶粒生长发育完善,晶粒轮廓清晰,呈尖锐的多面体形状,晶粒大小均匀,孔隙和晶界相少,断裂模式主要为穿晶解理断裂.TEM观测表明,晶界相少,且大部分都缩至三角晶界,AIN晶粒与晶粒接触紧密.
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