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透明导电材料Cd2SnO4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

白雪,  王星明,  储茂友,  张碧田,  段华英,  石志霞,  孙静,  韩沧

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白雪, 王星明, 储茂友, 张碧田, 段华英, 石志霞, 孙静, 韩沧. 透明导电材料Cd2SnO4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体[J]. 粉末冶金技术, 2015, 33(3): 180-185. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2015.03.005
引用本文: 白雪, 王星明, 储茂友, 张碧田, 段华英, 石志霞, 孙静, 韩沧. 透明导电材料Cd2SnO4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体[J]. 粉末冶金技术, 2015, 33(3): 180-185. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2015.03.005
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Study about the preparation of transparent conductive material Cd2SnO4 Ⅰ-Raw material preparation using solid phase sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2015, 33(3): 180-185. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2015.03.005
Citation: Study about the preparation of transparent conductive material Cd2SnO4 Ⅰ-Raw material preparation using solid phase sintering[J]. Powder Metallurgy Technology, 2015, 33(3): 180-185. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2015.03.005
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透明导电材料Cd2SnO4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2015.03.005

  • 北京有色金属研究总院稀有金属与冶金材料研究所,北京,100088

  • 北京有色金属研究总院

Study about the preparation of transparent conductive material Cd2SnO4 Ⅰ-Raw material preparation using solid phase sintering

    摘要
  • 摘要: 将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃,850℃,950℃,1050℃,1150℃温度下进行无压烧结.采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd2SnO4靶材结构演化和电阻率的影响.结果表明:750 ～ 850℃低温无压烧结时,扩散反应发生缓慢,只有少量的Cd2SnO4生成,大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在.950～ 1050℃无压烧结,随着温度升高,扩散反应速率较快,发生大量合成反应生成Cd2SnO4,当SnO2过量时,CdO完全参加反应.当温度上升至1150℃时,Cd2SnO4含量大幅度增加,伴随出现第二相CdSnO3.四探针测试结果显示:随着温度的升高,Cd2SnO4主相含量增加,靶材电阻率逐渐降低至19.9×10-3Ω·cm.根据无压烧结实验的固相演化规律,采用2∶1化学计量比的CdO与SnO2粉体为原料,充分混合后在1000℃下煅烧2～3小时,可得到均匀单相亮黄色Cd2SnO4原料粉体.
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