Study about the preparation of transparent conductive material Cd2SnO4 Ⅱ—Hot pressing
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摘要: 将2∶1摩尔比的CdO与SnO2混合粉体进行原位热压烧结,制备Cd2 SnO4.采用XRD衍射仪、四探针电阻测试仪和扫描电镜,分析热压气氛,Sb掺杂元素以及热处理工艺对Cd2SnO4靶材的物相结构和导电性能的影响.结果表明:900℃原位热压烧结时,由于温度低,扩散反应发生不完全,生成部分Cd2SnO4化合物,少量Cd和Sn元素仍以氧化物的形式存在,未出现第二相CdSnO3;氩气烧结比真空烧结更有利于扩散和化合反应发生;掺杂1％(质量分数)Sb元素的靶材电阻率降低至0.5×10-3Ω· cm.高温退火热处理时扩散反应得以继续,靶材中Cd2 SnO4含量有明显增加.为了克服原位热压温度和保温时间的限制所引起的化合反应不完全,优化热压工艺如下:采用单相Cd2SnO4复合粉体为原料,热压温度为1050℃,保温时间2小时,所得靶材均匀且晶粒细小,致密度达到92％,电阻率低至3×10-4Ω·cm,第二相CdSnO3含量低于2％,满足了镀膜用Cd2SnO4靶材的性能要求.
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