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纳米Mg2Si材料的制备及热电性能研究

杨梅君

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杨梅君. 纳米Mg2Si材料的制备及热电性能研究[J]. 粉末冶金技术, 2016, 34(3): 173-177. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2016.03.003
引用本文: 杨梅君. 纳米Mg2Si材料的制备及热电性能研究[J]. 粉末冶金技术, 2016, 34(3): 173-177. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2016.03.003
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Research on preparation and thermoelectric properties of nano-size Mg2Si[J]. Powder Metallurgy Technology, 2016, 34(3): 173-177. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2016.03.003
Citation: Research on preparation and thermoelectric properties of nano-size Mg2Si[J]. Powder Metallurgy Technology, 2016, 34(3): 173-177. doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2016.03.003
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纳米Mg2Si材料的制备及热电性能研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-3784.2016.03.003

  • 武汉理工大学材料研究与测试中心,武汉,430070

  • 武汉理工大学

基金项目: 湖北省自然科学基金(2013CFB356)

Research on preparation and thermoelectric properties of nano-size Mg2Si

    摘要
  • 摘要: 以高纯Mg,Si粉合成得到的Mg2Si微米粉体为原料,采用机械球磨方法制备纳米Mg2Si粉体.对球磨过程中球磨介质、球料比、转速及球磨时间进行分析,发现:通过机械球磨微米Mg2Si的方法,以正己烷为球磨介质,选取WC球和罐,在球料比为20:1、转速为370r/min、球磨70h时即可获得平均晶粒尺寸约为十几纳米的Mg2Si纳米粉体.采用放电等离子体烧结(SPS)烧结纳米Mg2Si粉体,块体晶粒长大,但仍在100nm左右;由于晶界散射作用,纳米块体Mg2Si热导率明显降低,电导率、Seebeck系数一定程度下降,综合热电三因素,纳米Mg2Si块材在800K时获得最大ZT值,为0.36,明显优于微米块体材料.
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