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高性能电子溅射靶的制备

吴胜文,  葛启录,  褚征军

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吴胜文, 葛启录, 褚征军. 高性能电子溅射靶的制备[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(2): 87-90. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.02.006
引用本文: 吴胜文, 葛启录, 褚征军. 高性能电子溅射靶的制备[J]. 粉末冶金技术, 2004, 22(2): 87-90. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.02.006
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Preparation of electronic sputtering target with high performance[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(2): 87-90. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.02.006
Citation: Preparation of electronic sputtering target with high performance[J]. Powder Metallurgy Technology, 2004, 22(2): 87-90. doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.02.006
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高性能电子溅射靶的制备

doi: 10.3321/j.issn:1001-3784.2004.02.006

  • 安泰科技股份有限公司,北京,100081

  • 安泰科技股份有限公司

详细信息

  • 中图分类号: TF12

Preparation of electronic sputtering target with high performance

    摘要
  • 摘要: 大尺寸、高性能电子溅射靶是电子及信息产业不可或缺的材料,电子靶材一直是各国优先发展的高新技术材料.此光盘膜用靶材材料极易在制备过程中碎裂,并且密度越高,裂纹倾向越大.因此,高密度、高纯度、大尺寸是相互矛盾的,难以达到完美的统一.通过选择合适的成分配比、粉原料的预处理以及合理的热压工艺以及热等静压工艺制度,解决了制备过程中易出现裂纹的难题,制备了大尺寸(直径200mm)、高相对密度(大于90%)、高纯度、密度分布均匀和组成相满足使用要求的靶材.经镀膜考核,靶材各项性能指标能够达到镀膜使用要求,与国外同类产品相当.
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